Proceso de 3 µm - 3 µm process

Fabricación de dispositivos semiconductores
Escalado MOSFET ( nodos de proceso )
0 10 µm  - 1971 00 6 µm  - 1974 00 3 µm  - 1977   1,5 µm  - 1981 00 1 µm  - 1984 800 millas náuticas  - 1987 600 millas náuticas  - 1990 350 millas náuticas  - 1993 250 millas náuticas  - 1996 180 millas náuticas  - 1999 130 millas náuticas  - 2001 0 90 millas náuticas  - 2003 0 65 millas náuticas  - 2005 0 45 millas náuticas  - 2007 0 32 millas náuticas  - 2009 0 22 nm  - 2012 0 14 millas náuticas  - 2014 0 10 millas náuticas  - 2016 00 7 nm  > 2017 00 5 nm  > 2018
Futuro 00 3 nm  > 2020 00 2 nm  > 2020 00 1,4 nm  > 2020
Medios nodos Densidad CMOS Dispositivo ( puerta múltiple ) Ley de moore Semiconductor Industria Nanoelectrónica
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El proceso de 3  μm es el nivel de tecnología de proceso de semiconductores MOSFET que se alcanzó alrededor de 1977, por empresas líderes de semiconductores como Intel .

Productos con proceso de fabricación de 3 μm

• La CPU Intel 8085 lanzada en 1976 se fabricó utilizando un proceso NMOS ( HMOS ) de 3,2 μm .
• La CPU Intel 8086 lanzada en 1978 se fabricó utilizando un proceso NMOS (HMOS) de 3,2 μm.
• El chip de memoria SRAM HM6147 de 4 kbit de Hitachi , lanzado en 1978, introdujo el proceso CMOS de dos pocillos , a 3 μm.  
• La CPU Intel 8088 lanzada en 1979 se fabricó utilizando un proceso NMOS (HMOS) de 3,2 μm.
• La CPU Motorola 68000 (MC68000), lanzada en 1979, se fabricó originalmente utilizando un proceso HMOS con un tamaño de función de 3,5 μm.
• El ARM1 se lanzó en 1985 y se fabricó en un   proceso de 3 μm.

Referencias

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